電梯前室壓力傳感器的概念是什么?

于是設計師便提出了電梯前室壓力傳感器的概念， 用于檢測相應空間余壓值， 并通過余壓閥控制送風方向， 達到控制余壓值的目的。 在我們進行產品研發過程中，根據其功能，我們將它命名為：壓差測控器（有的廠家也成為壓力或壓差控制器） 。因為其一方面源于它的檢測功能，而且測量的是兩個空間空氣壓力差值，另一方面， 它還要根據檢測的壓差值，對旁通閥進行動態調控。因此稱它為壓力或壓差傳感器更為貼切。

電梯前室壓力傳感器芯體材質的性能

目前，電梯前室壓力傳感器芯體材質品種繁多，下面簡單介紹下幾種芯體材質的性能 一、單晶硅 硅在集成電路和微電子器件生產中有著廣泛的應用，主要是利用硅的電學特性；在MEMS微機械結構中，則是利用其機械特性，繼而產生新一代的硅機電器件和裝置。硅材料儲量豐富，成本低。硅晶體生長容易，并存在超純無雜的材質，不純度在十億分這一的量級，因而本身的內耗小，機械品質因數可高達10^6數量級。設計得當的微活動結構，如微傳感器，能達到的遲滯和蠕變、的重復性和長期穩定性以及高可靠性。所以用硅材制作硅壓阻電梯前室壓力傳感器，有利于解決長困擾傳感器領域的3個難題——遲滯、重復性及長期漂移。 硅材料密度為2.33g/cm^2，是不銹鋼密度的1/3.5，而彎曲強度卻為不銹鋼的3.5倍，具有較高的強度/密度比和較高的剛度/密度比。單晶硅具有很好的熱導性，是不銹鋼的5倍，而熱膨脹系數則不到不銹鋼的1/7，能很好地和低膨脹Invar合金連接，并避免熱應力產生。單晶硅為立方晶體，是各向異性材料。許多機械特性和電子特性取決于晶向，如彈性模量和壓阻效應等。

多晶硅電阻應變靈敏系數大值的30倍

二、多晶硅 多晶硅是許多單晶（晶粒）的聚合物。這些晶粒的排列是無序的，不同晶粒有不同的單晶取向，而每一晶粒內部有單晶的特征。晶粒與晶粒之間的部位叫做晶界，晶界對其電特性的影響可以通過摻雜原子濃度調節。多晶硅膜一般由低壓化學氣相淀積（LPVCD）法制作而成，其電阻率隨摻硼原子濃度的變化而發生較大變化。多晶硅膜的電阻率比單晶硅的高，特別在低摻雜原子濃度下，多晶硅電阻率迅速升高。隨摻雜原子濃度不同，其電阻率可在較寬的數值范圍內變化。 多晶硅具有的壓電效應：壓縮時電阻下降，拉伸時電阻上升。多晶硅電阻應變靈敏系統隨摻雜濃度的增加而略有下降。其中縱向應變靈敏系數大值約為金屬應變計大值的30倍，為單晶硅電阻應變靈敏系數大值的1/3；橫向應靈敏系數，其值隨摻雜濃度出現正負變化，故一般都不采用。

化合物半導體材料硅是制作微機電器件和裝置的主要材料

四、化合物半導體材料 硅是制作微機電器件和裝置的主要材料。為了提高器件和系統的性能以及擴大應用范圍，化合物半導體材料在某些專門技術方面起著重要作用。如在紅外光、可見光及紫外光波段的成像器和探測器中，PbSe、InAs、Hg1-xCdxTe(x代表Cd的百分比)等材料得到日益廣泛的應用。 現以紅外探測器為例加以說明。利用紅外幅射與物質作用產生的各種效應發展起來的，實用的光敏探測器，主要是針對紅外幅射在大氣傳輸中透射率為清晰的3個波段（1-3μm，3-5μm，8-14μm）研制的。對于波長1-3μm敏感的探測器有PbS、InAs及Hg0.61Cd0.39Te；對于波長3-5μm敏感的探測器有InAs、PbSe及Hg0.73Cd0.27Te；對于波長8-14μm敏感的探險測器則有Pb1-xSnxTe、Hg0.8Cd0.2Te及非本征（摻雜）半導體Ge:Hg,Si:Ga及Si:Al等。其中3元合金Hg1-xCdxTe是一種本征吸收材料，通過調整材料的組分，不僅可以制成適合3個波段的器件，還可以開發更長工作波段（1-30μm）的應用，因而備受人們的關注。 須指出的是，上述材料需要在低溫（如77K）下工作。因為在室溫下，由于晶格振動能量與雜質能量的相互作用，使熱激勵的載流子數增加，而激發的光子數則明顯減少，從而降低了波長區的探測靈敏度。